SJT 10625-1995 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法

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L 90 SJ,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 10625-1995,緖单晶体中间隙氧含量的,红外吸收测定方法,Determination method for interstitial atomic oxygen content,of germanium by infrared abaorption,1995-04-22 发布1995-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部发布,中华人民共和国电子行业标准,错单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法的T 10625-1995,D式仃miiiM沁n method for inlerstital atomic oxygen content,of ggrm靱mum by infrared aba心ナptioH,主题内容与适用范围,1.I 主题内容,本标准规定了用红外吸收法测定错单晶中间隙氧含量的方法,1.2 适用范围,本标准适用于储单晶中间隙氧含量的测定,测量范围为IDppba至间隙辄在楮单晶中的最,大固溶度,2方法原理概要,本方法是用红外光谱仪测定错ー氧键11.7#m处的红外吸收系数确定间隙氧含量。错单,晶中氧含量与11.7产m处红外吸收系数具有对应关系O,3试验仪器,a.双光束红外分光光度计或付里叶变换红外光谱仪。仪器在波数lOQOcm-?处的分辨,率应优于4cm-;,b,具有合适的样品架;,c1干分尺,精度0.01 mm;,d.标准平面锚单晶,4试样的制备,4.1 测量试样的制备,4.1.1 研磨后的试样需经双而抛光,使两表面呈光学镜而,4.1.2 测量部位的试样厚度差应小于10^mo,4.1.3 氧含量大于或等于Ippma时,试样厚度为2~5mm;氧含量小于Ippma时,试样犀度为,10*-25mmu,4.2 参比样品的制备,4.2.1 选取间隙氧含量小于ippba的错单品为参比样品,4.2.2 参比样品的制备同4.1.1至4.1.2,中华人民共和国电子工业部1995-04.22批准 I995^10^01实施,—1 —,SJ/T 10625-1-9^5,4.2.3 蓼比样品与待测试样的厚度差应小于ひ.5 %,5试验程序,5.1 样品厚度的选择,按4. L3的要求确显测量样品的厚度,5.2 测量方法选择,5.2.I 差别法(仲裁法ユ,5.2.1.1 分别在试样光束和參比光束安放样品架,通光孔径为10mm,5.2.1.2 调整透过率0%(仅对双光束红外分光光度计)和100%,5.2.1.3 分别在试样光束和参比光束安放待测试样和厚度匹配的参比样品,5.2.1.4 对双光束红外分光光度计,调整扫描速度、时间常数、狭缝宽度和增益等仪器参数;,对付用叶变换红外光谱仪扫描次数不少于128次,在11 . 7fzm处楮ー氣键吸收带半宽度为,8cm "1 0,半宽度确定方法如下图c确足基线还过率員和峰值透过率T,令ア=ノマ了,过T‘点,作基线的平行线,与吸收带府两侧交于M、N,过M、N作橫轴的垂线,与横坐标相交于%、队,ムル=U1-”式cmリメキ为手宽席,5.2.1.5 在工050.65hmリ也闱扫描,得到854cm叫:叼,年丒说:.E吸收带“,521.6更复测Q二次,取结果的平均値,5.2.2空气参比法,5.5.2.1测竝时,除参比光束中不放参比样品外,其余程序同5N.L1.5.2.1.6,6试骁结果的计算,6.1 吸收系数a拉式(1)计算:,式中:,和T分别为某线和峰値处相时应的透过率,% ;,2,SJ/T 10625-1995,Dー试样厚度,cmo,考虑试样内部害次反射情况时,吸收系数a的计算见附录A(补充件),6.2 氧含量N[〇]的计算,6-2.I差别法,按式(2)或式(3)计算:,300K 时:,N [ 0 ] = 2.81a(ppma)..(2),或,N「0] = 1.25 X 1017a(atoms, cm-3)..(3),6.2.2空气参比法,用空气参比怯测量时,紧匏吸收带的两侧倣基线,以消除晶格吸收的影响。其计算方法,同,6.2.1c,7精密度,単一实验室的测量相对标准偏差为±IQ% (R1S%),8报告,试验报吿应包括以下内容:,a.测量方怯;,b.测量仪器;,c.样品厚度和编4],(1.计算的吸收系数;,e.间瞭气含量;,f.操作者及测量日期,3,SJ/T 10625-1995,附录A,吸收系数?的计算,(补充件),由于红外辐射在试样内部存在多次反射,所以本标准式(1)只是近似的,在考虑内部存在,麥次反射的情况下,垂直入射的透过率T为:,£1 — R)%ーめ,丁ー R2产ラ(4),式中;R—反射糸数;,a-一吸收系数,cmT;,D----- 试样厚度,cm,按本标准式”)得到的吸收糸数与式(4)得到的吸收系数之间的相对误差小于10%,附加说明:,本标准由电子工业部标准化册究所归口,本标准由电子工业部第46研究所负责起草,本标准主要起草人:何秀坤、李光平、汝琼娜、段曙光,4……

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